对比图
型号 IPB054N06N3GATMA1 STL85N6F3 SPB80N06S2-H5
描述 Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB054N06N3GATMA1, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装N沟道60 V ， 0.0057 Ω ， 19的PowerFLAT ？ 5×6的STripFET ？功率MOSFET N-channel 60 V, 0.0057 Ω, 19 A PowerFLAT? 5x6 STripFET? Power MOSFET的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TO-263-3 PowerVDFN-8 TO-263-3
引脚数 3 8 -
额定电压(DC) - - 55.0 V
额定电流 - - 80.0 A
极性 N-Channel N-CH N-CH
耗散功率 115 W 80W (Tc) 300W (Tc)
输入电容 5000 pF - 550 pF
栅电荷 - - 155 nC
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 55 V
连续漏极电流(Ids) 80A 19A 80.0 A
输入电容(Ciss) 5000pF @30V(Vds) 3400pF @25V(Vds) 5500pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 4 W 300 W
耗散功率(Max) 115 W 80W (Tc) 300W (Tc)
上升时间 68 ns 14.3 ns -
下降时间 9 ns 7.1 ns -
工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
额定功率 115 W - -
封装 TO-263-3 PowerVDFN-8 TO-263-3
长度 10.31 mm - -
宽度 11.05 mm - -
高度 4.57 mm - -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead