对比图
型号 PHC21025,118 SI4532CDY-T1-GE3
描述 NXP PHC21025,118. 场效应管阵列, MOSFET, N与P沟道, 30V, 3.5A, 8-SOICVISHAY SI4532CDY-T1-GE3 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 6 A, 30 V, 38 mohm, 10 V, 1 V
数据手册 --
制造商 NXP (恩智浦) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8
针脚数 8 8
漏源极电阻 0.08 Ω 0.038 Ω
极性 N-Channel, P-Channel N-Channel, P-Channel
耗散功率 2 W 2.78 W
阈值电压 2.8 V 1 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2000 mW 2.78 W
输入电容(Ciss) 250pF @20V(Vds) -
额定功率(Max) 2 W -
连续漏极电流(Ids) 3.50 A -
长度 - 5 mm
宽度 - 4 mm
高度 - 1.5 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
产品生命周期 Active -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 -
ECCN代码 - EAR99
工作温度 150℃ (TJ) -