对比图
型号 IPS1021SPBF VNB20N07-E VNB35NV04TR-E
描述 Power Switch Lo Side 4.8A 3Pin(2+Tab) D2PAKOMNIFET 全自动保护功率 MOSFET，STMicroelectronicsOMNIFET III 系列全自动保护低侧驱动器，根据坚固性标准进行了测量并提高了可靠性。 这些固态电源开关设计用于电感性或电阻负载，尤其是汽车环境。线性电流限制 热关闭 短路保护 ESD 保护 一体式夹 ### 智能电源开关，STMicroelectronicsMOSFET
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
输出接口数 1 1 1
输出电流 6 A 28 A 60 A
供电电流 - 0.25 mA 0.1 mA
针脚数 - 3 3
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 3.1 W 83 W 125 W
漏源击穿电压 - 70 V 70.0 V
连续漏极电流(Ids) 6.00 A 20.0 A 35.0 A
上升时间 - 240 ns 100 µs
输出电流(Max) 4.8 A 14 A 30 A
输出电流(Min) - 14 A 30 A
输入数 - 1 1
下降时间 - 150 ns 110 µs
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ - 40 ℃
耗散功率(Max) - 83000 mW 125000 mW
额定功率 3.1 W 83 W -
通道数 - 1 -
漏源极电阻 0.025 Ω 50 mΩ -
输入电压(Max) - 18 V -
输入电压 4.5V ~ 5.5V 18 V -
工作电压 36.0V (max) - -
输入电压(DC) 5.50 V - -
产品系列 IPS1021S - -
电源电压 4.5V ~ 5.5V - -
电源电压(Max) 5.5 V - -
电源电压(Min) 4.5 V - -
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
长度 - 10.28 mm -
宽度 - 9.35 mm -
高度 - 4.6 mm -
工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) - -40℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2014/12/17 - -
ECCN代码 - EAR99 EAR99