RD3T050CNTL1和RND030N20TL

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 RD3T050CNTL1 RND030N20TL IRFR220NPBF

描述 晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 200 V, 0.54 ohm, 10 V, 5.25 V晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 200 V, 0.62 ohm, 10 V, 5.2 VINFINEON  IRFR220NPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 200 V, 600 mohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.54 Ω 0.62 Ω 0.6 Ω

极性 - N-Channel N-Channel

耗散功率 29 W 20 W 43 W

阈值电压 5.25 V 5.2 V 4 V

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

上升时间 15 ns 13 ns 11 ns

输入电容(Ciss) 330pF @25V(Vds) 270pF @25V(Vds) 300pF @25V(Vds)

下降时间 8 ns 17 ns 12 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 29W (Tc) 850mW (Ta), 20W (Tc) 43W (Tc)

额定功率 - - 43 W

输入电容 - - 300 pF

连续漏极电流(Ids) - - 5A

额定功率(Max) - - 43 W

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

长度 - - 6.73 mm

宽度 - - 6.22 mm

高度 - - 2.39 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not For New Designs Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司