对比图
型号 IPB13N03LB IPD12N03LBG RJK03M6DPA-00-J5A
描述 OptiMOS®2功率三极管 OptiMOS㈢2 Power-TransistorOptiMOS®2功率三极管 OptiMOS㈢2 Power-Transistor30V ， 30A ， 9.4米最大。 N沟道功率MOS FET高速电源开关 30V, 30A, 9.4m max. N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Renesas Electronics (瑞萨电子)
分类 MOS管晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount -
封装 TO-263-3 TO-252 -
额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V -
额定电流 30.0 A 30.0 A -
极性 N-CH - -
耗散功率 52W (Tc) - -
输入电容 1.35 nF 1.30 nF -
栅电荷 11.0 nC 11.0 nC -
漏源极电压(Vds) 30 V 30.0 V -
连续漏极电流(Ids) 30.0 A 30.0 A -
输入电容(Ciss) 1355pF @15V(Vds) - -
耗散功率(Max) 52W (Tc) - -
封装 TO-263-3 TO-252 -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key Obsolete Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) - -
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free