对比图
型号 STL25N15F3 STL90N3LLH6 STL25N15F4
描述 Power N-CH 150V 25AN 通道 STripFET™ DeepGate™，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 150V 25A 8Pin Power Flat T/R
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 PowerFLAT-5x6-8 PowerVDFN-8 PowerVDFN-8
耗散功率 80 W 60 W 80 W
漏源极电压(Vds) 150 V 30 V 150 V
上升时间 13 ns 30 ns 5.1 ns
输入电容(Ciss) 1300pF @25V(Vds) 1690pF @25V(Vds) 2710pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 4 W 60 W 80 W
下降时间 20 ns 12 ns 11.4 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 80W (Tc) 60W (Tc) 80W (Tc)
通道数 1 1 -
漏源极电阻 57 mΩ 0.0038 Ω -
极性 N-CH N-Channel -
漏源击穿电压 150 V - -
连续漏极电流(Ids) 25A 90A -
阈值电压 - 1.7 V -
封装 PowerFLAT-5x6-8 PowerVDFN-8 PowerVDFN-8
长度 5 mm 5 mm -
宽度 6 mm 6 mm -
高度 0.81 mm 0.78 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 - - EAR99