MMUN2211LT1G和PDTC114TT,215

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMUN2211LT1G PDTC114TT,215 MMUN2211LT1

描述 ON SEMICONDUCTOR  MMUN2211LT1G  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率, SOT-23NXP  PDTC114TT,215  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, SOT-23偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistor

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) 50.0 V - 50.0 V

额定电流 100 mA - 100 mA

额定功率 246 mW - -

无卤素状态 Halogen Free - -

极性 NPN N-Channel, NPN -

耗散功率 246 mW 0.25 W 246 mW

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA -

最小电流放大倍数(hFE) 35 @5mA, 10V 200 @1mA, 5V 35 @5mA, 10V

最大电流放大倍数(hFE) 35 - 35

额定功率(Max) 246 mW 250 mW 246 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 400 mW - 400 mW

电源电压 1.8 V - -

长度 2.9 mm - 2.9 mm

宽度 1.3 mm - 1.3 mm

高度 0.94 mm 1 mm 0.94 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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