STP11NK50ZFP和STP3NK60ZFP

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STP11NK50ZFP STP3NK60ZFP FQPF13N50T

描述 STMICROELECTRONICS  STP11NK50ZFP  晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 500 V, 520 mohm, 10 V, 3.75 VSTMICROELECTRONICS  STP3NK60ZFP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.4 A, 600 V, 3.3 ohm, 10 V, 3.75 VN沟道MOSFET QFET N-Channel QFET MOSFET

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

通道数 1 1 -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.52 Ω 3.3 Ω 430 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 30 W 20 W 56 W

阈值电压 3.75 V 3.75 V -

输入电容 1390 pF - -

漏源极电压(Vds) 500 V 600 V 500 V

漏源击穿电压 500 V 600 V 500 V

连续漏极电流(Ids) 10.0 A 2.40 A 12.5 A

上升时间 18 ns 14 ns -

输入电容(Ciss) 1390pF @25V(Vds) 311pF @25V(Vds) 2300pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 30 W 20 W 56 W

下降时间 15 ns 14 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 30000 mW 20W (Tc) 56W (Tc)

额定电压(DC) - - 500 V

额定电流 - - 12.5 A

栅源击穿电压 - - ±30.0 V

长度 10.4 mm 10.4 mm -

宽度 4.6 mm 4.6 mm -

高度 9.3 mm 16.4 mm -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tube Tube Rail

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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