对比图
型号 STP80NF10 PSMN5R6-100PS,127 FDP3652
描述 N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3Pin(3+Tab) TO-220AB RailPowerTrench® N 通道 MOSFET，高达 9.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) NXP (恩智浦) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
通道数 1 1 1
漏源极电阻 0.012 Ω 0.0056 Ω 0.014 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 300 W 306 W 150 W
阈值电压 3 V 3 V 4 V
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
上升时间 80 ns 46 ns 85 ns
输入电容(Ciss) 5500pF @25V(Vds) 8061pF @50V(Vds) 2880pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 300 W 306 W 150 W
下降时间 60 ns 34 ns 45 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
耗散功率(Max) 300W (Tc) 306W (Tc) 150W (Tc)
额定电压(DC) 100 V - 100 V
额定电流 80.0 A - 61.0 A
输入电容 5500 pF - 2.88 nF
栅电荷 - - 41.0 nC
漏源击穿电压 100 V - 100 V
栅源击穿电压 ±20.0 V - ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 80.0 A - 61.0 A
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
额定功率 300 W - -
针脚数 3 - -
宽度 4.6 mm 4.7 mm 4.83 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
长度 10.4 mm - 10.67 mm
高度 9.15 mm - 9.4 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/06/15
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
ECCN代码 EAR99 - EAR99