对比图
型号 FDD068AN03L STD18N55M5 STD3NK60ZT4
描述 N沟道的PowerTrench ？ MOSFET 30V ， 35A ， 6.8mз N-Channel PowerTrench?? MOSFET 30V, 35A, 6.8mзSTMICROELECTRONICS STD18N55M5 晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 550 V, 0.18 ohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS STD3NK60ZT4 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.4 A, 600 V, 3.3 ohm, 10 V, 3.75 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定电压(DC) 30.0 V - 600 V
额定电流 35.0 A - 2.40 A
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 5.70 mΩ 0.18 Ω 3.3 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 80 W 90 W 45 W
阈值电压 - 4 V 3.75 V
漏源极电压(Vds) 30 V 550 V 600 V
漏源击穿电压 30.0 V 550 V 600 V
栅源击穿电压 ±20.0 V - ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) 35.0 A 16A 2.40 A
上升时间 171 ns 9.5 ns 14 ns
输入电容(Ciss) 2525pF @15V(Vds) 1260pF @100V(Vds) 311pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 80 W 90 W 45 W
下降时间 61 ns 13 ns 14 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 80W (Tc) 110W (Tc) 45W (Tc)
输入电容 2.52 nF - -
栅电荷 46.0 nC - -
通道数 - 1 -
长度 6.73 mm 6.6 mm 6.6 mm
宽度 6.22 mm 6.2 mm 6.2 mm
高度 2.39 mm 2.4 mm 2.4 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 - Silicon -
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - EAR99