对比图
描述 N 通道 STripFET™ H7 系列，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics100V,0.0078Ω,16A,N沟道功率MOSFET
数据手册 --
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 -
封装 PowerFLAT-5x6-8 PowerFLAT-5x6-8
通道数 1 -
极性 N-CH N-CH
耗散功率 100 W 136 W
阈值电压 2V ~ 4V 4 V
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 80A 82A
上升时间 40 ns 11 ns
输入电容(Ciss) 5680pF @50V(Vds) 3210pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 100 W 136 W
下降时间 15 ns 5.7 ns
工作温度(Max) 175 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -
耗散功率(Max) 5W (Ta), 100W (Tc) 136W (Tc)
漏源极电阻 - 8.4 mΩ
漏源击穿电压 - 100 V
长度 5.4 mm -
宽度 6.35 mm -
高度 0.95 mm -
封装 PowerFLAT-5x6-8 PowerFLAT-5x6-8
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free