STL100N10F7和STL70N10F3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STL100N10F7 STL70N10F3

描述 N 通道 STripFET™ H7 系列,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics100V,0.0078Ω,16A,N沟道功率MOSFET

数据手册 --

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 -

封装 PowerFLAT-5x6-8 PowerFLAT-5x6-8

通道数 1 -

极性 N-CH N-CH

耗散功率 100 W 136 W

阈值电压 2V ~ 4V 4 V

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 80A 82A

上升时间 40 ns 11 ns

输入电容(Ciss) 5680pF @50V(Vds) 3210pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 100 W 136 W

下降时间 15 ns 5.7 ns

工作温度(Max) 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -

耗散功率(Max) 5W (Ta), 100W (Tc) 136W (Tc)

漏源极电阻 - 8.4 mΩ

漏源击穿电压 - 100 V

长度 5.4 mm -

宽度 6.35 mm -

高度 0.95 mm -

封装 PowerFLAT-5x6-8 PowerFLAT-5x6-8

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

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