BF423和BF423ZL1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BF423 BF423ZL1G BF423G

描述 高电压晶体管 High Voltage TransistorsON SEMICONDUCTOR  BF423ZL1G  单晶体管 双极, PNP, -250 V, 60 MHz, 830 mW, 100 mA, 50 hFE高电压晶体管 High Voltage Transistors

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-92-3 TO-226-3 TO-226-3

引脚数 - 3 3

额定电压(DC) -250 V -250 V -250 V

额定电流 -50.0 mA -50.0 mA -50.0 mA

耗散功率 830 mW 830 mW -

击穿电压(集电极-发射极) 250 V 250 V 250 V

最小电流放大倍数(hFE) 50 @25mA, 20V 50 @25mA, 20V 50 @25mA, 20V

额定功率(Max) 830 mW 830 mW 830 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

频率 - 60 MHz -

针脚数 - 3 -

极性 - PNP PNP

集电极最大允许电流 - 0.5A 0.5A

直流电流增益(hFE) - 50 -

耗散功率(Max) - 830 mW 830 mW

长度 5.2 mm 5.2 mm -

宽度 4.19 mm 4.19 mm -

高度 5.33 mm 5.33 mm -

封装 TO-92-3 TO-226-3 TO-226-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - Silicon Silicon

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Bulk Tape & Reel (TR) Box

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2018/01/15 -

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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