对比图
型号 BQ4013MA-120 DS1245AB-120IND+ DS1245AB-120+
描述 128Kx8非易失SRAM 128Kx8 Nonvolatile SRAMIC NVSRAM 1Mbit 120NS 32EDIPMAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1245AB-120+ 芯片, 存储器, NVRAM
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)
分类 存储芯片存储芯片存储芯片
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 DIP-32 DIP-32 DIP-32
引脚数 32 - 32
存取时间 120 ns 120 ns 120 ns
电源电压 4.75V ~ 5.5V 4.75V ~ 5.25V 4.75V ~ 5.25V
电源电压(Max) 5.5 V 5.25 V 5.25 V
电源电压(Min) 4.75 V 4.75 V 4.75 V
电源电压(DC) 5.00 V - 5.00 V, 5.25 V (max)
供电电流 50 mA - -
存取时间(Max) 120 ns - -
工作温度(Max) 70 ℃ - 70 ℃
工作温度(Min) 0 ℃ - 0 ℃
针脚数 - - 32
时钟频率 - - 120 GHz
内存容量 - - 125000 B
宽度 18.42 mm 18.8 mm 18.8 mm
封装 DIP-32 DIP-32 DIP-32
长度 42.8 mm - 44.2 mm
高度 9.4 mm - 10.92 mm
工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃
产品生命周期 Obsolete Unknown Unknown
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free
ECCN代码 EAR99 - -