FQU1N60CTU和STD1NK60-1

对比图

型号 FQU1N60CTU STD1NK60-1

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQU1N60CTU  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1 A, 600 V, 2.8 ohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS  STD1NK60-1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 600 V, 8 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 中高压MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-251-3 TO-251-3

额定电压(DC) 600 V -

额定电流 1.00 A -

通道数 1 1

针脚数 3 3

漏源极电阻 2.8 Ω 8 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 28 W 30 W

阈值电压 4 V 3 V

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V

漏源击穿电压 600 V 600 V

栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 1.00 A 500 mA

上升时间 21 ns 5 ns

输入电容(Ciss) 170pF @25V(Vds) 156pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W 30 W

下降时间 27 ns 25 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2500 mW 30W (Tc)

长度 6.6 mm 6.6 mm

宽度 2.3 mm 6.2 mm

高度 6.1 mm 2.4 mm

封装 TO-251-3 TO-251-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99