对比图
型号 FQP13N50C STP5NK100Z STB55NF06T4
描述 500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFETSTMICROELECTRONICS STP5NK100Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 1 kV, 3.7 ohm, 10 V, 3.75 VN 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-263-3
额定电压(DC) 500 V 1.00 kV 60.0 V
额定电流 13.0 A 3.50 A 50.0 A
额定功率 - 125 W -
通道数 - 1 1
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 480 mΩ 3.7 Ω 0.015 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 195 W 125 W 110 W
阈值电压 - 3.75 V 3 V
漏源极电压(Vds) 500 V 1 kV 60 V
漏源击穿电压 500 V 1.00 kV 60.0 V
栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 13.0 A 3.50 A 50.0 A
上升时间 100 ns 7.7 ns 50 ns
输入电容(Ciss) 2055pF @25V(Vds) 1154pF @25V(Vds) 1300pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 195 W 125 W 110 W
下降时间 100 ns 19 ns 15 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 195W (Tc) 125W (Tc) 110W (Tc)
长度 10.67 mm 10.4 mm 10.4 mm
宽度 4.7 mm 4.6 mm 9.35 mm
高度 16.3 mm 9.15 mm 4.6 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99