对比图
型号 STB11NK40ZT4 STP80NF10 SPP04N80C3
描述 STMICROELECTRONICS STB11NK40ZT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 400 V, 490 mohm, 10 V, 3.75 VN 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsInfineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 400 V 100 V 800 V
额定电流 9.00 A 80.0 A 4.00 A
通道数 1 1 1
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.49 Ω 0.012 Ω 1.1 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 110 W 300 W 63 W
阈值电压 3.75 V 3 V 3 V
漏源极电压(Vds) 400 V 100 V 800 V
漏源击穿电压 400 V 100 V 800 V
栅源击穿电压 ±30.0 V ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) 4.50 A 80.0 A 4.00 A
上升时间 20 ns 80 ns 15 ns
输入电容(Ciss) 930pF @25V(Vds) 5500pF @25V(Vds) 570pF @100V(Vds)
额定功率(Max) 110 W 300 W 63 W
下降时间 18 ns 60 ns 12 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 110W (Tc) 300W (Tc) 63W (Tc)
额定功率 - 300 W 63 W
输入电容 - 5500 pF -
长度 10.75 mm 10.4 mm 10 mm
宽度 10.4 mm 4.6 mm 4.4 mm
高度 4.6 mm 9.15 mm 15.65 mm
封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 -