BSS123-7-F和DN2540N3-G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSS123-7-F DN2540N3-G BSS169 E6906

描述 三极管MICROCHIP  DN2540N3-G  晶体管, MOSFET, N沟道, 120 mA, 400 V, 17 ohm, 0 VTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3Pin SOT-23 T/R

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) Microchip (微芯) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 SOT-23-3 TO-226-3 SOT-23-3

额定电压(DC) 100 V - 100 V

额定电流 170 mA - 90.0 mA

额定功率 0.3 W 1 W -

通道数 1 - -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 6 Ω 17 Ω -

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 300 mW 1 W 360mW (Ta)

阈值电压 1.4 V - -

输入电容 60 pF - 68.0 pF

漏源极电压(Vds) 100 V 400 V 100 V

漏源击穿电压 100 V - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 170 mA 0.12A 90.0 mA

上升时间 8 ns 15 ns -

输入电容(Ciss) 60pF @25V(Vds) 200pF @25V(Vds) 68pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 300 mW - -

下降时间 8 ns 20 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 300 mW 1W (Tc) 360mW (Ta)

栅电荷 - - 2.80 nC

长度 2.9 mm 5.2 mm -

宽度 1.3 mm 4.19 mm -

高度 1 mm 5.33 mm -

封装 SOT-23-3 TO-226-3 SOT-23-3

重量 0.0001279130568 kg - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - Silicon -

产品生命周期 Active Unknown Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Bag Tape

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - -

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