对比图
型号 FQPF65N06 STP55NF06 STP55NF06FP
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQPF65N06 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 60 V, 16 mohm, 10 V, 4 VMOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS STP55NF06FP 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 18 mohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V 60.0 V
额定电流 40.0 A 50.0 A 50.0 A
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.016 Ω 0.015 Ω 0.018 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 56 W 30 W 30 W
阈值电压 4 V 3 V 3 V
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
漏源击穿电压 60.0 V 60.0 V 60 V
栅源击穿电压 ±25.0 V ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 40.0 A 50.0 A 50.0 A
上升时间 160 ns 50 ns 50 ns
输入电容(Ciss) 2410pF @25V(Vds) 1300pF @25V(Vds) 1300pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 56 W 110 W 30 W
下降时间 105 ns 15 ns 15 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 56W (Tc) 110W (Tc) 30000 mW
通道数 - 1 1
额定功率 - 110 W -
长度 10.16 mm 10.4 mm 10.4 mm
宽度 4.7 mm 4.6 mm 4.6 mm
高度 9.19 mm 9.15 mm 9.3 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - -