对比图
型号 STU75N3LLH6 STU85N3LH5 STD90N02L-1
描述 N 通道 STripFET™ DeepGate™，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS STU85N3LH5 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 4.6 mohm, 10 V, 2.5 VN沟道25V - 0.0052Ω - 60A - DPAK - IPAK的STripFET ™III功率MOSFET N-channel 25V - 0.0052Ω - 60A - DPAK - IPAK STripFET™ III Power MOSFET
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-251-3 TO-251-3 TO-251-3
引脚数 3 3 -
耗散功率 60 W 70 W 70W (Tc)
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 25 V
输入电容(Ciss) 1690pF @25V(Vds) 1850pF @25V(Vds) 2050pF @16V(Vds)
额定功率(Max) - 70 W 70 W
耗散功率(Max) 60W (Tc) 70W (Tc) 70W (Tc)
通道数 - 1 -
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 0.0046 Ω 0.0046 Ω -
极性 N-Channel N-Channel -
阈值电压 1.7 V 2.5 V -
漏源击穿电压 - 30 V -
连续漏极电流(Ids) 75A 40.0 A -
上升时间 30 ns 14 ns -
下降时间 12 ns 10.8 ns -
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
封装 TO-251-3 TO-251-3 TO-251-3
长度 6.6 mm 6.6 mm -
宽度 2.4 mm 2.4 mm -
高度 6.9 mm 6.9 mm -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -