对比图
型号 CSD18503KCS CSD18504KCS CSD18510KCS
描述 40V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET...40V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET40V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、TO-220、1.7mΩ 3-TO-220 -55 to 175
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)
分类 MOS管MOS管
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220
安装方式 Through Hole Through Hole -
耗散功率 188 W 93 W 250 W
上升时间 5.3 ns 5.2 ns 8 ns
输入电容(Ciss) 3150pF @20V(Vds) 1800pF @20V(Vds) 8770pF @20V(Vds)
下降时间 6.8 ns 4.2 ns 8 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 188W (Tc) 115W (Tc) 250000 mW
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 - 0.0055 Ω -
极性 N-CH N-Channel -
阈值电压 - 1.9 V -
漏源极电压(Vds) 40 V 40 V -
连续漏极电流(Ids) 100A 100A -
额定功率(Max) - 93 W -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220
长度 10.67 mm - -
宽度 4.7 mm - -
高度 16.51 mm - -
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 正在供货 正在供货 Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -