对比图
型号 STD120N4LF6 STU4N62K3 IRLR3114ZPBF
描述 N 通道 STripFET™ DeepGate™，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS STU4N62K3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.8 A, 620 V, 1.7 ohm, 10 V, 3.75 VN沟道 40V 42A
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) International Rectifier (国际整流器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-251-3 TO-252-3
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 0.004 Ω 1.7 Ω 6.5 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 110 W 70 W 140 W
阈值电压 1V ~ 3V 3.75 V -
漏源极电压(Vds) 40 V 620 V 40 V
连续漏极电流(Ids) - 3.8A 130 A
上升时间 95 ns 9 ns -
输入电容(Ciss) 4300pF @25V(Vds) 550pF @50V(Vds) 3810pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 110 W 70 W 140 W
下降时间 45 ns 19 ns -
工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 110W (Tc) 70W (Tc) -
产品系列 - - IRLR3114Z
输入电容 - - 3810pF @25V
通道数 1 - -
漏源击穿电压 40 V - -
长度 6.6 mm 6.6 mm 6.73 mm
宽度 6.2 mm 2.4 mm -
高度 2.4 mm 6.9 mm 2.39 mm
封装 TO-252-3 TO-251-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 - EAR99