对比图
型号 FDP4030L STD86N3LH5 SPP08N80C3
描述 N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorN沟道30 V ， 0.0045欧姆， 80 A， DPAK的STripFET V功率MOSFET N-channel 30 V, 0.0045 Ohm , 80 A, DPAK STripFET V Power MOSFETINFINEON SPP08N80C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8 A, 800 V, 0.56 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 TO-220-3 TO-252-3 TO-220-3
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 55 mΩ 0.0045 Ω 0.56 Ω
耗散功率 37.5 W 70 W 104 W
阈值电压 - 1.8 V 3 V
输入电容 - 1850 pF -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 800 V
上升时间 8 ns 14 ns 15 ns
输入电容(Ciss) - 1850pF @25V(Vds) 1100pF @100V(Vds)
额定功率(Max) - 70 W 104 W
下降时间 10 ns 10.8 ns 7 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 65 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 70W (Tc) 104W (Tc)
通道数 1 - 1
极性 N-CH - N-Channel
漏源击穿电压 30 V - -
连续漏极电流(Ids) 20A - 8.00 A
额定电压(DC) - - 800 V
额定电流 - - 8.00 A
额定功率 - - 104 W
长度 10.67 mm 6.6 mm 10.36 mm
宽度 4.7 mm 6.2 mm 4.4 mm
高度 16.3 mm 2.4 mm 15.95 mm
封装 TO-220-3 TO-252-3 TO-220-3
工作温度 - 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Rail Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 EAR99