对比图
型号 IRFP4227PBF STW52NK25Z STW90NF20
描述 N沟道,200V,65A,25mΩ@10VSTMICROELECTRONICS STW52NK25Z 晶体管, MOSFET, N沟道, 26 A, 250 V, 33 mohm, 10 V, 3.75 VN沟道200 V， 0.019 Ω ， 83 A， TO- 247低栅极电荷的STripFET ™功率MOSFET N-channel 200 V, 0.019 Ω, 83 A, TO-247 low gate charge STripFET™ Power MOSFET
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 0.025 Ω 0.033 Ω 23 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 330 W 300 W 300 W
产品系列 IRFP4227 - -
阈值电压 30 V 3.75 V -
漏源极电压(Vds) 200 V 250 V 200 V
连续漏极电流(Ids) 65.0 A 26.0 A 83A
输入电容(Ciss) 4600pF @25V(Vds) 4850pF @25V(Vds) 5736pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 330 W 300 W 300 W
工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -55 ℃ 55 ℃
通道数 - - 1
漏源击穿电压 - 250 V 200 V
上升时间 - 75 ns 138 ns
下降时间 - 55 ns 142 ns
耗散功率(Max) - 300000 mW 300W (Tc)
额定电压(DC) - 250 V -
额定电流 - 52.0 A -
栅源击穿电压 - ±30.0 V -
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
长度 - 15.75 mm 15.75 mm
宽度 - 5.15 mm 5.15 mm
高度 - 20.15 mm 20.15 mm
工作温度 -40℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -50℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2014/12/17 2015/12/17 -
ECCN代码 - - EAR99