对比图
型号 MTD10N10EL MTD10N10ELT4 NTD6600N-1G
描述 TMOS E- FET功率场效应晶体管DPAK封装的表面贴装 TMOS E-FET Power Field Effect Transistor DPAK for Surface MountTMOS E- FET功率场效应晶体管DPAK封装的表面贴装 TMOS E−FET Power Field Effect Transistor DPAK for Surface Mount功率MOSFET的100 V， 12 A， N沟道逻辑电平的DPAK Power MOSFET 100 V, 12 A, N−Channel, Logic Level DPAK
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole
封装 DPAK-252 TO-252-3 TO-251-3
引脚数 3 - -
极性 N-CH - N-CH
耗散功率 - 1.75W (Ta), 40W (Tc) 1.28W (Ta), 56.6W (Tc)
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 10A 10.0 A 12A
输入电容(Ciss) 741pF @25V(Vds) 1040pF @25V(Vds) 700pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 1.75 W 1.28 W
耗散功率(Max) 1750 mW 1.75W (Ta), 40W (Tc) 1.28W (Ta), 56.6W (Tc)
上升时间 74 ns 74.0 ns -
下降时间 38 ns - -
工作温度(Max) 150 ℃ - -
工作温度(Min) -55 ℃ - -
额定电压(DC) - 100 V -
额定电流 - 10.0 A -
封装 DPAK-252 TO-252-3 TO-251-3
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 Silicon - -
产品生命周期 Unknown Unknown Unknown
包装方式 Rail Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Contains Lead Lead Free
ECCN代码 - - EAR99