对比图
型号 IPD60R450E6 IPD60R450E6ATMA1 IPD60R380C6ATMA1
描述 INFINEON IPD60R450E6 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9.2 A, 600 V, 0.41 ohm, 10 V, 3 VINFINEON IPD60R450E6ATMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9.2 A, 600 V, 0.41 ohm, 10 V, 3 VINFINEON IPD60R380C6ATMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10.6 A, 600 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管中高压MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
通道数 1 1 1
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.41 Ω 0.41 Ω 0.34 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 74 W 74 W 83 W
阈值电压 3 V 3 V 3 V
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
漏源击穿电压 600 V 600 V -
连续漏极电流(Ids) 9.2A 9.2A 10.6A
上升时间 - 9 ns 10 ns
输入电容(Ciss) 620pF @100V(Vds) 620pF @100V(Vds) 700pF @100V(Vds)
额定功率(Max) 74 W 74 W 83 W
下降时间 - 10 ns 9 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 74W (Tc) 74W (Tc) 83W (Tc)
输入电容 - - 700 pF
长度 6.5 mm 6.5 mm 6.73 mm
宽度 6.22 mm 6.22 mm 6.22 mm
高度 2.3 mm 2.3 mm 2.41 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17
REACH SVHC标准 No SVHC - -