对比图
型号 BQ4016YMC-70 DS1265Y-70IND DS1265Y-70+
描述 1024k x 8 非易失性 SRAM,10% 电压容限IC NVSRAM 8Mbit 70NS 36DIPNon-Volatile SRAM Module, 1MX8, 70ns, CMOS, 0.74INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-36
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)
分类 存储芯片存储芯片存储芯片
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 36 36 36
封装 DIP-36 DIP-36 EDIP-36
电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max)
时钟频率 70.0 GHz 70.0 GHz 70.0 GHz
存取时间 70.0 ns 70.0 ns 70 ns
内存容量 8000000 B 8000000 B 8000000 B
电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V
工作温度(Max) 70 ℃ - 70 ℃
工作温度(Min) 0 ℃ - 0 ℃
电源电压(Max) - - 5.5 V
电源电压(Min) - - 4.5 V
供电电流 115 mA - -
存取时间(Max) 70 ns - -
封装 DIP-36 DIP-36 EDIP-36
长度 - - 53.34 mm
宽度 - - 18.8 mm
高度 - - 10.29 mm
工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)
产品生命周期 Obsolete Unknown Unknown
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 - -
香港进出口证 NLR - -