对比图
型号 BUK101-50GL BUZ11_NR4941 VNP28N04
描述 功率MOS晶体管逻辑电平TOPFET PowerMOS transistor Logic level TOPFETN 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor增强模式场效应晶体管 (FET) 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。？ OMNIFET ?:岗AUTOPROTECTED功率MOSFET ”OMNIFET”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管开关电源
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
引脚数 - 3 3
额定电压(DC) 50.0 V - 42.0 V
额定电流 26.0 A - 28.0 A
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 75 W 75 W 83.0 W
漏源极电压(Vds) 50 V 50 V -
连续漏极电流(Ids) 26A 30A 28.0 A
上升时间 4 ns 70 ns -
下降时间 7 ns 130 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
输出接口数 - - 1
漏源极电阻 - 0.03 Ω 35.0 mΩ
漏源击穿电压 - - 42.0 V
输入电压(Max) - - 18 V
输出电流(Max) - - 20 A
输入数 - - 1
耗散功率(Max) - 75W (Tc) 83000 mW
额定功率 - 75 W -
针脚数 - 3 -
阈值电压 - 3 V -
输入电容(Ciss) - 2000pF @25V(Vds) -
额定功率(Max) - 75 W -
长度 10.3 mm 10.67 mm -
宽度 4.7 mm 4.83 mm -
高度 9.4 mm 16.51 mm -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -
ECCN代码 - - EAR99
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -