对比图
型号 IPB80N04S3-H4 IPD90N04S4-05 IPB039N04LGATMA1
描述 的OptiMOS -T电源晶体管 OptiMOS-T Power-Transistor40V,90A,5.2mΩ,N沟道汽车MOSFETD2PAK N-CH 40V 80A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-252-3 TO-263-3
极性 N-CH N-Channel N-CH
耗散功率 - 65 W 94W (Tc)
漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V
连续漏极电流(Ids) 80A 86A 80A
上升时间 12 ns 11 ns 5.4 ns
输入电容(Ciss) 3900pF @25V(Vds) 2960pF @25V(Vds) 6100pF @25V(Vds)
下降时间 10 ns 10 ns 6 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 115000 mW 65000 mW 94W (Tc)
额定功率(Max) 115 W 65 W -
封装 TO-263-3 TO-252-3 TO-263-3
长度 10 mm 6.5 mm -
宽度 9.25 mm 6.22 mm -
高度 4.4 mm 2.3 mm -
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 EAR99 -