40V,90A,5.2mΩ,N沟道汽车MOSFET
Summary of Features:
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- N-channel - Enhancement mode
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- Automotive AEC Q101 qualified
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- MSL1 up to 260°C peak reflow
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- 175°C operating temperature
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- Green Package RoHS compliant
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- 100% Avalanche tested
Benefits:
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- Low switching and conduction power losses for highest thermal efficiency
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- Robust packages with superior quality and reliability
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- Optimized total gate charge enables smaller driver output stages
极性 N-Channel
耗散功率 65 W
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 86A
上升时间 11 ns
输入电容Ciss 2960pF @25VVds
额定功率Max 65 W
下降时间 10 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 65000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Body applications, OptiMOS-T2 40V addresses to small loads control switching 3-phase and H-bridge motors, electric pumps, etc. especially in combination with PWM control.
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IPD90N04S4-05 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
FDB8442 飞兆/仙童 | 功能相似 | IPD90N04S4-05和FDB8442的区别 |
IPB80N04S3-H4 英飞凌 | 功能相似 | IPD90N04S4-05和IPB80N04S3-H4的区别 |
NP80N04PLG-E1B-AY 瑞萨电子 | 功能相似 | IPD90N04S4-05和NP80N04PLG-E1B-AY的区别 |