对比图
描述 t-Pnp Si-Darlington Amp ; Rohs Compliant: Yes达林顿晶体管 Power BJTON SEMICONDUCTOR 2N6052G 单晶体管 双极, PNP, -100 V, 150 W, -12 A, 100 hFE 新
数据手册 ---
制造商 NTE Electronics Microsemi (美高森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 分立器件双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 - Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 2
封装 - TO-3 TO-204-2
额定电压(DC) - - -100 V
额定电流 - - -12.0 A
输出电压 - - 100 V
输出电流 - - 12 A
针脚数 - - 2
极性 - - PNP, P-Channel
耗散功率 - 150000 mW 150 W
击穿电压(集电极-发射极) - 100 V 100 V
集电极最大允许电流 - - 12A
最小电流放大倍数(hFE) - 1000 @6A, 3V 750 @6A, 3V
最大电流放大倍数(hFE) - - 18000
额定功率(Max) - 150 W 150 W
直流电流增益(hFE) - - 100
工作温度(Max) - 175 ℃ 200 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) - 150000 mW 150 W
输入电压 - - 5 V
长度 - - 39.37 mm
宽度 - - 26.67 mm
高度 - - 8.51 mm
封装 - TO-3 TO-204-2
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 - Tray Tray
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 EAR99