BD237和MJE243

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BD237 MJE243

描述 STMICROELECTRONICS  BD237  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 3 MHz, 25 W, 2 A, 40 hFE互补硅功率晶体管塑料 Complementary Silicon Power Plastic Transistors

数据手册 --

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-126-3 TO-225-3

额定电压(DC) 100 V 100 V

额定电流 2.00 A 4.00 A

极性 NPN N-Channel

耗散功率 25 W 15 W

增益频宽积 3 MHz 40 MHz

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 100 V

集电极最大允许电流 - 4A

最小电流放大倍数(hFE) 25 @1A, 2V 40

最大电流放大倍数(hFE) - 180

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ 65 ℃

耗散功率(Max) 25000 mW 15000 mW

针脚数 3 -

直流电流增益(hFE) 40 -

频率 3 MHz -

额定功率 25 W -

额定功率(Max) 25 W -

长度 7.8 mm 7.74 mm

宽度 2.7 mm 2.66 mm

高度 10.8 mm 11.04 mm

封装 TO-126-3 TO-225-3

材质 Silicon Silicon

工作温度 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Unknown

包装方式 Tube Bulk

最小包装 - 500

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99

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