BC859B和BC859C

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC859B BC859C BC859BLT1

描述 BC859B PNP三极管 -30V -100mA/-0.1A 100MHz 220~475 -250mV/-0.25V SOT-23/SC-59 marking/标记 4B 低噪声Transistor: PNP; bipolar; 30V; 100mA; 0.25W(1/4W); SOT23通用晶体管( PNP硅) General Purpose Transistors(PNP Silicon)

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Diotec Semiconductor ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 -

封装 SOT-23 SOT-23 SOT-23-3

耗散功率 - 250 mW 225 mW

增益频宽积 - 100 MHz 100 MHz

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) - 250 mW 300 mW

额定电压(DC) - - -30.0 V

额定电流 - - -100 mA

极性 - - PNP

击穿电压(集电极-发射极) - - 30 V

集电极最大允许电流 - - 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) - - 220 @2mA, 5V

额定功率(Max) - - 300 mW

封装 SOT-23 SOT-23 SOT-23-3

长度 - - 2.9 mm

宽度 - - 1.3 mm

高度 - - 0.94 mm

材质 - Silicon -

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 - - Contains Lead

ECCN代码 - EAR99 -

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