FDB8444和SUM70N04-07L-E3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDB8444 SUM70N04-07L-E3 FDB8444_F085

描述 N沟道的PowerTrench ? MOSFET 40V , 70A , 5.5mOhm N-Channel PowerTrench? MOSFET 40V, 70A, 5.5mOhmN通道40 -V (D -S ) 175摄氏度MOSFET N-Channel 40-V (D-S) 175 Celsius MOSFETPowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) VISHAY (威世) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-263-3 TO-263 TO-263-3

引脚数 3 - -

耗散功率 167 W 3.75 W 167 W

耗散功率(Max) 167W (Tc) 3.75W (Ta), 100W (Tc) 167W (Tc)

漏源极电阻 5.50 mΩ - 3.9 mΩ

极性 N-Channel - N-CH

漏源极电压(Vds) 40 V - 40 V

漏源击穿电压 40.0 V - 40 V

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 70.0 A - 70A

上升时间 78 ns - 78 ns

输入电容(Ciss) 8035pF @25V(Vds) - 8035pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 167 W - -

下降时间 15 ns - 15 ns

工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

通道数 - - 1

封装 TO-263-3 TO-263 TO-263-3

高度 4.83 mm - 4.83 mm

长度 - - 10.67 mm

宽度 - - 9.65 mm

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

产品生命周期 Active - Active

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

工作温度 -55℃ ~ 175℃ - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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