对比图
型号 CSD18504Q5A CSD18514Q5A CSD18504Q5AT
描述 40V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFETCSD18514Q5A 40V N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET40V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON5x6、6.6mΩ 8-VSONP -55 to 150
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 PowerTDFN-8 VSONP-8 VSON-8
耗散功率 77 W 3.1 W 3.1 W
上升时间 6.8 ns 22 ns 6.8 ns
输入电容(Ciss) 1656pF @20V(Vds) 2060pF @20V(Vds) 1380pF @20V(Vds)
下降时间 2 ns 6 ns 2 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 3.1W (Ta), 77W (Tc) 3100 mW 3100 mW
通道数 1 - -
针脚数 8 - -
漏源极电阻 0.0053 Ω - -
极性 N-Channel - N-CH
阈值电压 1.9 V - -
漏源极电压(Vds) 40 V - 40 V
连续漏极电流(Ids) 50A - 50A
额定功率(Max) 3.1 W - -
封装 PowerTDFN-8 VSONP-8 VSON-8
长度 5.8 mm - -
宽度 5 mm - -
高度 1.1 mm - 1 mm
材质 - Silicon -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 正在供货 正在供货 Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead 无铅 Contains Lead
ECCN代码 - EAR99 EAR99