FDS6679Z和TPS1100D

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDS6679Z TPS1100D TPS1100DR

描述 30伏P沟道PowerTrench MOSFET 30 Volt P-Channel PowerTrench MOSFET单P沟道增强型MOSFET SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS单P沟道增强型MOSFET SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

通道数 1 - 1

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 2.5 W 791 mW 0.791 W

漏源极电压(Vds) 30 V 15 V 15 V

连续漏极电流(Ids) 13.0 A -1.60 A 1.6A

上升时间 9 ns 10 ns 10 ns

额定功率(Max) 1 W 791 mW 791 mW

下降时间 54 ns 2 ns 2 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 85 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 791mW (Ta) 791mW (Ta)

额定电压(DC) -30.0 V -15.0 V -

额定电流 -13.0 A -1.60 A -

漏源极电阻 9 mΩ 0.18 Ω -

输入电容 3.80 nF - -

栅电荷 67.0 nC - -

漏源击穿电压 30 V - -

输入电容(Ciss) 3803pF @15V(Vds) - -

输出电压 - -15.0 V -

长度 4.9 mm - 4.9 mm

宽度 3.9 mm - 3.91 mm

高度 1.75 mm - 1.75 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - Silicon -

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

ECCN代码 EAR99 - -

香港进出口证 - NLR -

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