对比图
型号 FQPF11P06 FQPF17P06 STF12PF06
描述 QFET® P 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。60V P沟道MOSFET 60V P-Channel MOSFETP沟道60V - 0.18欧姆 - 12A TO- 220 / TO- 220FP的STripFET II功率MOSFET P-CHANNEL 60V - 0.18 ohm - 12A TO-220/TO-220FP STripFET II POWER MOSFET
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
引脚数 3 - -
额定电压(DC) -60.0 V -60.0 V -60.0 V
额定电流 -11.4 A -12.0 A -12.0 A
漏源极电阻 175 mΩ 120 mΩ 200 mΩ
极性 P-Channel P-Channel P-Channel
耗散功率 30 W 39W (Tc) 60 W
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
栅源击穿电压 ±25.0 V ±25.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 8.30 A 12.0 A 8.00 A
输入电容(Ciss) 550pF @25V(Vds) 900pF @25V(Vds) 850pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 30 W 39 W -
耗散功率(Max) 30W (Tc) 39W (Tc) 225W (Tc)
上升时间 40 ns - 40 ns
下降时间 45 ns - 10 ns
工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
漏源击穿电压 - - 60.0 V
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
长度 10.36 mm - 10.4 mm
宽度 4.9 mm - 4.6 mm
高度 16.07 mm - 9.3 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Unknown Obsolete
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 EAR99 -