对比图
描述 高电压晶体管 High Voltage TransistorsNXP BF823 单晶体管 双极, PNP, -250 V, 60 MHz, 250 mW, -50 mA, 50 hFE 新双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 500mA 250V PNP
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole
引脚数 3 3 -
封装 TO-226-3 SOT-23 TO-92-3
针脚数 - 3 -
极性 PNP PNP PNP
耗散功率 - 250 mW 830 mW
直流电流增益(hFE) - 50 -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
额定电压(DC) -250 V - -250 V
额定电流 -50.0 mA - -50.0 mA
击穿电压(集电极-发射极) 250 V - 250 V
集电极最大允许电流 0.5A - 0.05A
最小电流放大倍数(hFE) 50 @25mA, 20V - 50 @25mA, 20V
额定功率(Max) 830 mW - 830 mW
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 830 mW - -
封装 TO-226-3 SOT-23 TO-92-3
长度 - - 5.2 mm
宽度 - - 4.19 mm
高度 - - 5.33 mm
产品生命周期 Unknown Unknown Unknown
包装方式 Box - Tape
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
含铅标准 Lead Free - Contains Lead
材质 Silicon - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
ECCN代码 EAR99 - -