对比图
型号 STP15NM60ND STP22NM60N SIHP12N60E-GE3
描述 STMICROELECTRONICS STP15NM60ND 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 14 A, 600 V, 0.27 ohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS STP22NM60N 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 16 A, 600 V, 0.2 ohm, 10 V, 3 VN 通道 MOSFET，E 系列，低品质因数，Vishay SemiconductorVishay E 系列 MOSFET 电源是高电压晶体管，具有超低最大接通电阻、低灵敏值和快速切换功能。 它们提供各种电流额定值。 典型应用包括服务器和电信电源、LED 照明、回扫转换器、功率因数校正 (PFC) 和开关模式电源 (SMPS)。### 特点低灵敏值 (FOM) RDS(on) x Qg 低输入电容 (Ciss) 低接通电阻（RDS（接通）） 超低栅极电荷 (Qg) 快速切换 减少切换和传导损耗### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) VISHAY (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.27 Ω 0.2 Ω 0.32 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 125 W 125 W 147 W
阈值电压 4 V 3 V 2 V
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 14A 16A 12A
输入电容(Ciss) 1250pF @50V(Vds) 1300pF @50V(Vds) 937pF @100V(Vds)
额定功率(Max) 125 W 125 W 147 W
下降时间 28 ns 38 ns 19 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 125W (Tc) 125W (Tc) 147 W
通道数 1 - -
漏源击穿电压 600 V - -
上升时间 20 ns - 19 ns
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
长度 10.4 mm - 10.51 mm
宽度 4.6 mm - 4.65 mm
高度 15.75 mm - 9.01 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
最小包装 - - 50
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -
香港进出口证 NLR NLR -