对比图
型号 STP10NK60Z STP5NK100Z FQP10N60C
描述 STMICROELECTRONICS STP10NK60Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 600 V, 750 mohm, 10 V, 3.75 VSTMICROELECTRONICS STP5NK100Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 1 kV, 3.7 ohm, 10 V, 3.75 V600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 600 V 1.00 kV 600 V
额定电流 10.0 A 3.50 A 9.50 A
额定功率 115 W 125 W -
通道数 - 1 -
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 0.75 Ω 3.7 Ω 0.6 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 115 W 125 W 156 W
阈值电压 3.75 V 3.75 V 4 V
漏源极电压(Vds) 600 V 1 kV 600 V
漏源击穿电压 600 V 1.00 kV 600 V
栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) 10.0 A 3.50 A 9.50 A
上升时间 20 ns 7.7 ns -
输入电容(Ciss) 1370pF @25V(Vds) 1154pF @25V(Vds) 2040pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 115 W 125 W 156 W
下降时间 30 ns 19 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 115000 mW 125W (Tc) 156W (Tc)
长度 10.4 mm 10.4 mm -
宽度 4.6 mm 4.6 mm -
高度 9.15 mm 9.15 mm -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99