对比图
型号 STP80NF55-06 IRF634B_FP001 IRF3205ZPBF
描述 STMICROELECTRONICS STP80NF55-06 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 55 V, 6.5 mohm, 10 V, 3 VTrans MOSFET N-CH 250V 8.1A 3Pin(3+Tab) TO-220 TubeINFINEON IRF3205ZPBF 晶体管, MOSFET, 汽车, N沟道, 110 A, 55 V, 6.5 mohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
漏源极电阻 0.0065 Ω 450 mΩ 0.0065 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 300 W 74 W 170 W
漏源极电压(Vds) 55 V 250 V 55 V
漏源击穿电压 55.0 V 250 V 55 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±30.0 V -
连续漏极电流(Ids) 80.0 A 8.10 A 110A
上升时间 155 ns 75 ns 95 ns
输入电容(Ciss) 4400pF @25V(Vds) 1000pF @25V(Vds) 3450pF @25V(Vds)
下降时间 65 ns 65 ns 67 ns
耗散功率(Max) 300W (Tc) 74W (Tc) 170000 mW
额定功率 - - 170 W
针脚数 3 - 3
阈值电压 3 V - 4 V
输入电容 - - 3450 pF
额定功率(Max) 300 W - 170 W
工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
额定电压(DC) 55.0 V - -
额定电流 80.0 A - -
通道数 1 - -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
长度 10.4 mm - 10.54 mm
宽度 4.6 mm - 4.69 mm
高度 9.15 mm - 8.77 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 - - Silicon
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tube Rail, Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
REACH SVHC标准 No SVHC - -
ECCN代码 - EAR99 -