SI4134DY-T1-GE3和SI4410DYTRPBF

对比图

型号 SI4134DY-T1-GE3 SI4410DYTRPBF DMN4800LSSL

描述 VISHAY  SI4134DY-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 30 V, 11.5 mohm, 10 V, 1.8 VINFINEON  SI4410DYTRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 30 V, 0.01 ohm, 10 V, 1 VDIODES INC.  DMN4800LSSL  晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 6.7 A, 30 V, 0.011 ohm, 10 V, 1.2 V

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC

通道数 - 1 -

针脚数 8 8 -

漏源极电阻 0.0115 Ω 0.01 Ω 0.011 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 5 W 2.5 W 1.46 W

阈值电压 1.8 V 1 V 1.2 V

输入电容 - 1585 pF -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 - 30 V -

上升时间 - 7.7 ns -

输入电容(Ciss) 846pF @15V(Vds) 1585pF @15V(Vds) -

额定功率(Max) - 2.5 W -

下降时间 - 44 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -

耗散功率(Max) 2500 mW 2.5W (Ta) -

长度 5 mm 4.9 mm -

宽度 4 mm 3.9 mm -

高度 1.5 mm 1.75 mm -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 - Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC