FQB55N10TM和STB40NF10T4

对比图

型号 FQB55N10TM STB40NF10T4 FQB55N10

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQB55N10TM  晶体管, MOSFET, N沟道, 55 A, 100 V, 0.021 ohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS  STB40NF10T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 28 mohm, 10 V, 2.8 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQB55N10  晶体管, MOSFET, N沟道, 55 A, 100 V, 26 mohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263

额定电压(DC) 100 V 100 V -

额定电流 55.0 A 50.0 A -

通道数 1 1 -

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.021 Ω 0.028 Ω 26 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 3.75 W 150 W 155 W

阈值电压 4 V 2.8 V 4 V

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

漏源击穿电压 100 V 100 V -

栅源击穿电压 ±25.0 V ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 55.0 mA 50.0 A 55.0 A

上升时间 250 ns 63 ns -

输入电容(Ciss) 2730pF @25V(Vds) 1780pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 3.75 W 150 W -

下降时间 140 ns 28 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 3.75W (Ta), 155W (Tc) 150W (Tc) -

输入电容 2.10 nF - -

栅电荷 75.0 nC - -

长度 10.67 mm 10.4 mm -

宽度 9.65 mm 9.35 mm -

高度 4.83 mm 4.6 mm -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -50℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99 -