对比图
描述 MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDS(ON) 5.6 Milliohms; ID 130A; D2Pak; PD 300W; VF 1.3VSTMICROELECTRONICS STB120NF10T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 100 V, 10.5 mohm, 10 V, 4 V
数据手册 --
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3
漏源极电阻 7 mΩ 0.0105 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 300 W 312 W
产品系列 IRFS4310 -
输入电容 7670pF @50V 5200 pF
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V
漏源击穿电压 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 140 A 110 A
输入电容(Ciss) 7670pF @50V(Vds) 5200pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 300 W 312 W
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
额定电压(DC) - 100 V
额定电流 - 120 A
针脚数 - 3
阈值电压 - 4 V
栅源击穿电压 - ±20.0 V
上升时间 - 90 ns
下降时间 - 68 ns
耗散功率(Max) - 312000 mW
长度 10.67 mm 10.4 mm
高度 4.83 mm 4.6 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3
宽度 - 9.35 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)
重量 - 0.013607772 kg
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99