对比图
型号 FQB7N60TM STB9NK60ZT4 FQB7N60TM_WS
描述 QFET® N 通道 MOSFET，6A 至 10.9A，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。STMICROELECTRONICS STB9NK60ZT4 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 600 V, 850 mohm, 10 V, 3.75 VTrans MOSFET N-CH 600V 7.4A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/R
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 -
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
额定电压(DC) 600 V 600 V -
额定电流 7.40 A 7.00 A -
通道数 1 1 -
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 1.00 Ω 0.85 Ω -
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 3.13 W 125 W 3.13 W
阈值电压 - 3.75 V -
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
漏源击穿电压 600 V 600 V -
栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V -
连续漏极电流(Ids) 7.40 A 7.00 A 7.4A
上升时间 80 ns 17 ns 80 ns
输入电容(Ciss) 1430pF @25V(Vds) 1110pF @25V(Vds) 1430pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 3.13 W 125 W -
下降时间 60 ns 15 ns 60 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 3.13W (Ta), 142W (Tc) 125W (Tc) 3.13W (Ta), 142W (Tc)
长度 10.67 mm 10.4 mm -
宽度 9.65 mm 9.35 mm -
高度 4.83 mm 4.6 mm -
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -