IRLR7833TRPBF和STD150N3LLH6

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRLR7833TRPBF STD150N3LLH6 STD17NF03LT4

描述 Trans MOSFET N-CH 30V 140A 3Pin(2+Tab) DPAK T/RN 通道 STripFET™ DeepGate™,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。N 通道 STripFET™,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) 30.0 V - 30.0 V

额定电流 140 A - 17.0 A

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - 0.0028 Ω 0.05 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 140 W 110 W 30 W

阈值电压 - 2.5 V 1.5 V

输入电容 - - 320 pF

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 30.0 V - 30.0 V

栅源击穿电压 - - ±16.0 V

连续漏极电流(Ids) 140 A - 17.0 A

上升时间 6.90 ns 18 ns 100 ns

输入电容(Ciss) 4010pF @15V(Vds) 3700pF @25V(Vds) 320pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 140 W 110 W 30 W

下降时间 - 46 ns 22 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 110W (Tc) 30W (Tc)

长度 - 6.6 mm 6.6 mm

宽度 - 6.2 mm 6.2 mm

高度 - 2.4 mm 2.4 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 - 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99

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