对比图
型号 IRFB3507PBF STP75NF75 STP140NF75
描述 N沟道,75V,97A,8.8mΩ@10VN 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。 ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS STP140NF75 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 75 V, 7.5 mohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
引脚数 - 3 3
额定电压(DC) 75.0 V 75.0 V 75.0 V
额定电流 97.0 A 80.0 A 120 A
额定功率 190 W - -
漏源极电阻 7.00 mΩ 0.0095 Ω 0.0075 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 190 W 300 W 310 W
产品系列 IRFB3507 - -
漏源极电压(Vds) 75 V 75 V 75 V
漏源击穿电压 75.0V (min) 75.0 V 75.0 V
连续漏极电流(Ids) 97.0 A 80.0 A 120 A
上升时间 81.0 ns 25.0 ns 140 ns
输入电容(Ciss) 3540pF @50V(Vds) 3700pF @25V(Vds) 5000pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 190 W 300 W 310 W
耗散功率(Max) 190 W 300W (Tc) 310W (Tc)
针脚数 - 3 3
阈值电压 - 3 V 4 V
输入电容 - - 5000 pF
栅源击穿电压 - ±20.0 V ±20.0 V
下降时间 - - 90 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
通道数 - 1 -
工作结温(Max) - 175 ℃ -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
长度 - 10.4 mm 10.4 mm
宽度 - 4.6 mm 4.6 mm
高度 - 9.15 mm 9.15 mm
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2014/06/16 2014/06/16
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
ECCN代码 - EAR99 EAR99