对比图
型号 STW45NM50 STW45NM50FD IXFX50N50
描述 STMICROELECTRONICS STW45NM50 晶体管, MOSFET, N沟道, 45 A, 550 V, 100 mohm, 10 V, 4 VN沟道500 V， 0.07 Ω ， 45 A， TO- 247 FDmesh ™功率MOSFET （具有快速二极管） N-channel 500 V, 0.07 Ω, 45 A, TO-247 FDmesh™ Power MOSFET (with fast diode)PLUS N-CH 500V 50A
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
额定电压(DC) 500 V 500 V -
额定电流 45.0 A 45.0 A -
漏源极电阻 0.1 Ω 0.1 Ω -
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 417 W 417 W 520 W
阈值电压 4 V 4 V -
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
漏源击穿电压 - 500 V -
栅源击穿电压 - ±30.0 V -
连续漏极电流(Ids) 45.0 A 45.0 A 50A
上升时间 107.5 ns 107.5 ns 60 ns
输入电容(Ciss) 3700pF @25V(Vds) 3600pF @25V(Vds) 9400pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 417 W 417 W 520 W
下降时间 87.7 ns 87.7 ns 45 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 417W (Tc) 417W (Tc) 520W (Tc)
额定功率 390 W - -
针脚数 3 - -
长度 15.75 mm 15.75 mm -
宽度 5.15 mm 5.15 mm -
高度 20.15 mm 20.15 mm -
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 - - Silicon
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Not Recommended
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
REACH SVHC标准 No SVHC - -
ECCN代码 EAR99 - EAR99