对比图
型号 STP80NF10 STY140NS10 FDP3652
描述 N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS STY140NS10 晶体管, MOSFET, N沟道, 140 A, 100 V, 10 mohm, 10 V, 4 VPowerTrench® N 通道 MOSFET，高达 9.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-247-3 TO-220-3
额定电压(DC) 100 V 100 V 100 V
额定电流 80.0 A 140 A 61.0 A
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 0.012 Ω 10 mΩ 0.014 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 300 W 450 W 150 W
阈值电压 3 V 4 V 4 V
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
漏源击穿电压 100 V 100 V 100 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 80.0 A 140 A 61.0 A
上升时间 80 ns 150 ns 85 ns
输入电容(Ciss) 5500pF @25V(Vds) 12600pF @25V(Vds) 2880pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 300 W 450 W 150 W
下降时间 60 ns 270 ns 45 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 300W (Tc) 450W (Tc) 150W (Tc)
通道数 1 - 1
输入电容 5500 pF - 2.88 nF
栅电荷 - - 41.0 nC
额定功率 300 W - -
封装 TO-220-3 TO-247-3 TO-220-3
长度 10.4 mm - 10.67 mm
宽度 4.6 mm - 4.83 mm
高度 9.15 mm - 9.4 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/06/15
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
ECCN代码 EAR99 - EAR99