对比图
型号 STD12NF06T4 STD60NF06T4 IRFR024NPBF
描述 STMICROELECTRONICS STD12NF06T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 60 V, 0.08 ohm, 10 V, 3 VN 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsINTERNATIONAL RECTIFIER IRFR024NPBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 55V, 17A, D-PAKS 新
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) International Rectifier (国际整流器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定电压(DC) 60.0 V - 55.0 V
额定电流 12.0 A - 17.0 A
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 80 mΩ 0.014 Ω 0.075 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 30 W 110 W 45 W
产品系列 - - IRFR024N
阈值电压 3 V 4 V 4 V
输入电容 315 pF - 370pF @25V
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 55 V
漏源击穿电压 60.0 V 60.0 V 55 V
连续漏极电流(Ids) 12.0 A 60.0 A 17.0 A
上升时间 18 ns 108 ns 34 ns
输入电容(Ciss) 315pF @25V(Vds) 1810pF @25V(Vds) 370pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 30 W 110 W 45 W
下降时间 6 ns 20 ns 27 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -
耗散功率(Max) 30W (Tc) 110W (Tc) -
长度 6.6 mm 6.6 mm 6.73 mm
高度 2.4 mm 2.4 mm 2.39 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
宽度 6.2 mm 6.2 mm -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99