对比图
型号 BSH103,235 MMBF0201NLT1G BSH103,215
描述 Trans MOSFET N-CH 30V 0.85A 3Pin TO-236AB T/RON SEMICONDUCTOR MMBF0201NLT1G. 场效应管, MOSFET, N沟道, SOT-23, SMD, 20VNXP BSH103,215 晶体管, MOSFET, N沟道, 850 mA, 30 V, 0.4 ohm, 4.5 V, 400 mV
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
额定电压(DC) - 20.0 V -
额定电流 - 300 mA -
通道数 1 1 1
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 - 0.75 Ω 0.4 Ω
极性 - N-Channel N-Channel
耗散功率 540mW (Ta) 225 mW 750 mW
阈值电压 400 mV 1.7 V 400 mV
输入电容 - 45.0 pF -
漏源极电压(Vds) 30 V 20 V 30 V
漏源击穿电压 - 62 V -
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) - 300 mA 850 mA
上升时间 3.5 ns 2.5 ns 3.5 ns
输入电容(Ciss) 83pF @24V(Vds) 45pF @5V(Vds) 83pF @24V(Vds)
额定功率(Max) - 225 mW 540 mW
下降时间 7 ns 0.8 ns 7 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 540mW (Ta) 225mW (Ta) 540mW (Ta)
长度 - 2.9 mm 3 mm
宽度 1.4 mm 1.3 mm 1.4 mm
高度 - 0.94 mm 1 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 -